Mảng năng lượng mặt trời Gallium Arsenide

Mảng năng lượng mặt trời Gallium Arsenide bao gồm hiệu suất cực cao, cho phép tạo ra nhiều điện hơn trong không gian hạn chế so với các tế bào năng lượng mặt trời truyền thống. Thiết kế đa điểm của chúng tối đa hóa khả năng thu năng lượng bằng cách khai thác phạm vi quang phổ mặt trời rộng hơn, lý tưởng cho điều kiện ánh sáng yếu và môi trường khắc nghiệt như các sứ mệnh không gian hoặc các cơ sở lắp đặt từ xa. Cấu trúc chắc chắn và khả năng chống lại bức xạ và biến động nhiệt độ đảm bảo hiệu suất lâu dài, khiến chúng trở nên hoàn hảo cho các ứng dụng hàng không vũ trụ, quân sự và ngoài lưới điện. Các mảng năng lượng mặt trời này cũng cung cấp các giải pháp nhỏ gọn và nhẹ, mang lại mật độ công suất tuyệt vời cho các hệ thống mà không gian và trọng lượng là yếu tố quan trọng.

Chia sẻ:

Liên hệ với chúng tôi ngay > Tải về

SỰ MIÊU TẢ

Ví dụ sản phẩm

Tấm gắn thân vệ tinh

 Pin GaAs ba lớp hiệu suất 30%;

 Bảng mạch PCB, màng PI, v.v.;

 Nhiệt độ làm việc -100℃~+110℃;

 Thời hạn thẩm định là 3 năm hoặc ít hơn.

Tấm pin mặt trời cố định cứng

 Pin GaAs ba lớp hiệu suất 30%;

 Chất nền tổ ong nhôm sợi carbon;

 Nhiệt độ làm việc -100℃~+110℃;

 Tuổi thọ thẩm định là 10 năm hoặc ít hơn.

Tấm pin mặt trời linh hoạt có thể gấp lại

 Pin GaAs ba lớp hiệu suất 30%;

 Màng PI mềm - sợi thủy tinh - chất nền màng PI;

 Nhiệt độ làm việc -100℃~+110℃;

 Tuổi thọ thẩm định là 7 năm hoặc ít hơn.

Tấm pin mặt trời gấp linh hoạt cho vệ tinh màn hình phẳng

 Pin GaAs ba lớp hiệu suất 30% (Pin mặt trời cứng);

 Màng PI mềm - sợi thủy tinh - chất nền màng PI;

 Nhiệt độ làm việc -100℃~+110℃;

 Tuổi thọ thẩm định là 7 năm hoặc ít hơn.

Mảng năng lượng mặt trời Gallium Arsenide là hệ thống quang điện tiên tiến sử dụng gallium arsenide (GaAs) làm vật liệu bán dẫn chính để chuyển đổi ánh sáng mặt trời thành điện. GaAs được biết đến với hiệu suất cao trong chuyển đổi năng lượng, đặc biệt là trong điều kiện ánh sáng mặt trời yếu hoặc phân tán. Các mảng năng lượng mặt trời này được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng không gian, các cơ sở lắp đặt trên mặt đất hiệu suất cao và các hệ thống năng lượng hàng không vũ trụ, nơi độ tin cậy, hiệu quả và độ bền là rất quan trọng. GaAs có hiệu suất cao hơn so với các tế bào quang điện silicon truyền thống do khả năng hấp thụ photon tốt hơn và khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao hơn. Các mảng được thiết kế với công nghệ tế bào quang điện đa điểm, cho phép thu được quang phổ ánh sáng mặt trời rộng hơn, giúp tăng cường hiệu suất chuyển đổi năng lượng tổng thể. Thiết kế nhẹ kết hợp với khả năng chống bức xạ vượt trội khiến chúng trở nên lý tưởng cho việc tạo ra năng lượng từ vệ tinh, thám hiểm không gian và các ứng dụng ở độ cao lớn. Các mảng năng lượng mặt trời này cũng có tuổi thọ hoạt động dài và chống lại sự xuống cấp của môi trường, đảm bảo chúng có thể chịu được các điều kiện khắc nghiệt mà không bị mất hiệu suất.