Gallium Arsenide ဆိုလာ Arrays

Gallium Arsenide Solar Arrays များတွင် သမားရိုးကျ ဆိုလာဆဲလ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အကန့်အသတ်ရှိသော နေရာများတွင် ပါဝါထုတ်လုပ်နိုင်မှု ပိုမိုရရှိစေမည့် ၎င်းတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည် အထူးမြင့်မားစွာ ပါဝင်ပါသည်။ ၎င်းတို့၏ multijunction ဒီဇိုင်းသည် အလင်းနည်းသောအခြေအနေများနှင့် အာကာသမစ်ရှင်များ သို့မဟုတ် အဝေးထိန်းတပ်ဆင်မှုများကဲ့သို့သော ပြင်းထန်သောပတ်ဝန်းကျင်များအတွက် စံပြဖြစ်သည့် ကျယ်ပြန့်သောနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ကို အသုံးချခြင်းဖြင့် စွမ်းအင်ဖမ်းယူမှုကို အမြင့်ဆုံးဖြစ်စေသည်။ ခိုင်ခံ့သောတည်ဆောက်မှုနှင့် ဓါတ်ရောင်ခြည်နှင့် အပူချိန်အတက်အကျများကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုတို့သည် အာကာသယာဉ်၊ စစ်ရေးနှင့် off-grid applications များအတွက် ပြီးပြည့်စုံသော ကြာရှည်စွာ စွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေသည်။ ဤဆိုလာအခင်းအကျင်းများသည် ကျစ်လျစ်ပြီး ပေါ့ပါးသောဖြေရှင်းချက်များကို ပေးစွမ်းပြီး နေရာနှင့်အလေးချိန်သည် ပရီမီယံအဆင့်တွင်ရှိသော စနစ်များအတွက် အထူးကောင်းမွန်သော ပါဝါသိပ်သည်းဆကို ပေးဆောင်ပါသည်။

မျှဝေသည်-

ယခု ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ > ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။

ဖော်ပြချက်

ထုတ်ကုန်ဥပမာများ

ဂြိုလ်တုကိုယ်ထည် တပ်ဆင်ထားသော ပန်းကန်ပြား

 30% ထိရောက်မှု triple-junction GaAs ဆဲလ်များ၊

 PCB ဘုတ်အဖွဲ့၊ PI ရုပ်ရှင်၊ စသည်တို့။

 -100 ℃ ~ + 110 ℃အလုပ်လုပ်အပူချိန်;

 စိစစ်ရေးသက်တမ်းသည် ၃ နှစ် သို့မဟုတ် ယင်းထက်နည်းသည်။

တောင့်တင်းသော ဆိုလာပြားကို ပုံသေ

 30% ထိရောက်မှု triple-junction GaAs ဆဲလ်များ၊

 ကာဗွန်ဖိုက်ဘာ အလူမီနီယမ် ပျားလပို့အလွှာ။

 -100 ℃ ~ + 110 ℃အလုပ်လုပ်အပူချိန်;

 စိစစ်ရေးသက်တမ်းသည် ၁၀ နှစ် သို့မဟုတ် ယင်းထက်နည်းသည်။

Folding Flexible Solar Panel

 30% ထိရောက်မှု triple-junction GaAs ဆဲလ်များ၊

 ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် PI ဖလင် - ဖိုက်ဘာမှန်ဖိုက်ဘာ - PI ရုပ်ရှင်အလွှာ။

 -100 ℃ ~ + 110 ℃အလုပ်လုပ်အပူချိန်;

 စိစစ်ရေးသက်တမ်းသည် ၇ နှစ် သို့မဟုတ် ယင်းထက်နည်းသည်။

Flat Panel Satellites အတွက် Flexible Folding Solar Panel

 30% ထိရောက်မှု triple-junction GaAs ဆဲလ်များ (Rigid solar cells);

 ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် PI ဖလင် - ဖိုက်ဘာမှန်ဖိုက်ဘာ - PI ရုပ်ရှင်အလွှာ။

 -100 ℃ ~ + 110 ℃အလုပ်လုပ်အပူချိန်;

 စိစစ်ရေးသက်တမ်းသည် ၇ နှစ် သို့မဟုတ် ယင်းထက်နည်းသည်။

Gallium Arsenide Solar Arrays များသည် Gallium arsenide (GaAs) ကို နေရောင်ခြည်မှ လျှပ်စစ်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲရန်အတွက် အဓိက တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုသည့် အဆင့်မြင့် photovoltaic စနစ်များဖြစ်သည်။ GaA သည် အထူးသဖြင့် နေရောင်ခြည် နည်းပါးသော သို့မဟုတ် ပြန့်ကျဲနေသော အခြေအနေများတွင် စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းတွင် ၎င်း၏ မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်ကြောင့် လူသိများသည်။ ဤဆိုလာအခင်းအကျင်းများကို အာကာသအသုံးချပလီကေးရှင်းများ၊ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ကုန်းမြေတပ်ဆင်မှုများနှင့် အာကာသစွမ်းအင်စနစ်များတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရမှု၊ ထိရောက်မှုနှင့် တာရှည်ခံမှုတို့သည် အရေးကြီးပါသည်။ GaAs သည် ၎င်း၏ ပိုမိုကောင်းမွန်သော ဖိုတွန်စုပ်ယူမှုနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောအပူချိန်တွင် လည်ပတ်နိုင်မှုကြောင့် သမားရိုးကျ ဆီလီကွန်အခြေခံဆိုလာဆဲလ်များထက် ပိုမိုထိရောက်မှုရှိသည်။ arrays များကို multijunction solar cell နည်းပညာဖြင့် တီထွင်ထားပြီး နေရောင်ခြည်၏ ကျယ်ပြန့်သော spectrum ကို ဖမ်းယူနိုင်ကာ အလုံးစုံ စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်း ထိရောက်မှုကို ပိုမိုတိုးတက်စေသည်။ ၎င်းတို့၏ ပေါ့ပါးသောဒီဇိုင်း၊ ထူးထူးခြားခြား ဓာတ်ရောင်ခြည်ခံနိုင်ရည်ရှိသော ဒီဇိုင်းသည် ၎င်းတို့အား ဂြိုလ်တုဓာတ်အားထုတ်လုပ်ခြင်း၊ အာကာသစူးစမ်းလေ့လာခြင်းနှင့် အမြင့်ပေမြင့်သောအသုံးချမှုများအတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။ ဤဆိုလာ array များသည် တာရှည် လည်ပတ် သက်တမ်း ကိုလည်း ပါ၀င် ပြီး ပတ်ဝန်းကျင် ပျက်စီး ယိုယွင်း မှု ကို ခံနိုင်ရည် ရှိကာ ထိရောက်မှု မဆုံးရှုံးဘဲ ပြင်းထန်သော အခြေအနေ များကို ခံနိုင်ရည် ရှိစေ သည် ။