Galio arseniuroaren eguzki-erregimenak

Galio Arseniuro Eguzki-Matrizeek beren eraginkortasun oso handia dute, eguzki-zelula tradizionalekin alderatuta energia gehiago sortzeko aukera ematen baitute espazio mugatuan. Haien multijunction diseinuak energia harrapaketa maximizatzen du eguzki-espektroaren gama zabalago bat aprobetxatuz, hau da, argi gutxiko baldintzetarako eta muturreko inguruneetarako, hala nola espazio-misioetarako edo urruneko instalazioetarako. Eraikuntza sendoak eta erradiazio- eta tenperatura-gorabeherekiko erresistentziak iraupen luzeko errendimendua bermatzen du, eta aplikazio aeroespazialerako, militarretarako eta saretik kanpokoetarako ezin hobeak dira. Eguzki-matrize hauek irtenbide trinkoak eta arinak ere eskaintzen dituzte, espazioa eta pisua lehenbailehen dauden sistemetarako potentzia-dentsitate bikaina eskainiz.

Partekatu:

Jarri gurekin harremanetan orain > Deskargatu

DESKRIBAPENA

Produktuen Adibideak

Sateliteen gorputza muntatutako plaka

 % 30eko eraginkortasuna lotura hirukoitzeko GaAs zelulak;

 PCB plaka, PI filma, etab;

 -100 ℃ ~ + 110 ℃ lan-tenperatura;

 Balorazio-bizitza 3 urte edo gutxiagokoa.

Eguzki-panel zurrun finkoa

 % 30eko eraginkortasuna lotura hirukoitzeko GaAs zelulak;

 Karbono-zuntzezko aluminiozko abaraska substratua;

 -100 ℃ ~ + 110 ℃ lan-tenperatura;

 Balorazio-bizitza 10 urte edo gutxiagokoa.

Eguzki-panel malgua tolesgarria

 % 30eko eraginkortasuna lotura hirukoitzeko GaAs zelulak;

 PI film malgua - beira-zuntza - PI filmaren substratua;

 -100 ℃ ~ + 110 ℃ lan-tenperatura;

 Balorazio-bizitza 7 urte edo gutxiagokoa.

Eguzki panel tolesgarri malgua panel lauko sateliteetarako

 % 30eko eraginkortasuna lotura hirukoitzeko GaAs zelulak (eguzki-zelula zurrunak);

 PI film malgua - beira-zuntza - PI filmaren substratua;

 -100 ℃ ~ + 110 ℃ lan-tenperatura;

 Balorazio-bizitza 7 urte edo gutxiagokoa.

Galio arseniuroa Eguzki-matrizeak, galio-arsenuroa (GaAs) erabiltzen duten sistema fotovoltaiko aurreratuak dira, eguzki-argia elektrizitate bihurtzeko lehen material erdieroale gisa. GaAs energia bihurtzeko eraginkortasun handiagatik ezaguna da, batez ere eguzki-argia baxua edo sakabanatua dagoen baldintzetan. Eguzki multzo hauek espazio-aplikazioetan, errendimendu handiko lurreko instalazioetan eta energia aeroespazialetan erabiltzeko diseinatuta daude, non fidagarritasuna, eraginkortasuna eta iraunkortasuna funtsezkoak diren. GaAsek silizioan oinarritutako eguzki-zelulak baino eraginkortasun handiagoa du fotoien xurgapen hobea eta tenperatura altuagoetan funtzionatzeko duen gaitasunagatik. Arrayak multijunction eguzki-zelulen teknologiarekin diseinatuta daude, eguzki-argiaren espektro zabalago bat harrapatzeko aukera ematen duena, energia bihurtzeko eraginkortasun orokorra areagotuz. Diseinu arina, erradiazio-erresistentzia bikainarekin konbinatuta, satelite bidezko energia sortzeko, espazioaren esploraziorako eta altuera handiko aplikazioetarako aproposak dira. Eguzki-matrize hauek funtzionamendu-bizitza luzea dute eta ingurumena hondatzeari erresistenteak dira, baldintza gogorrak jasan ditzaketela bermatuz eraginkortasuna galdu gabe.

Eraginkortasun handiko eguzki-soluzioak aplikazio zorrotzetarako