Массивҳои офтобии Gallium Arsenide

Массивҳои офтобии Gallium Arsenide дорои самаранокии бениҳоят баланди онҳо мебошанд, ки дар муқоиса бо ҳуҷайраҳои анъанавии офтобӣ дар фазои маҳдуд тавлиди бештари нерӯи барқро фароҳам меоранд. Тарҳрезии бисёрҷанбаҳои онҳо бо истифода аз доираи васеътари спектри офтобӣ, ки барои шароити нури кам ва муҳити шадид ба монанди миссияҳои кайҳонӣ ё насбҳои дурдаст беҳтарин аст, ба ҳадди аксар гирифтани энергия мусоидат мекунад. Сохтмони мустаҳкам ва муқовимат ба радиатсия ва тағирёбии ҳарорат кори дарозмуддатро таъмин намуда, онҳоро барои барномаҳои аэрокосмосӣ, ҳарбӣ ва берун аз шабака комил месозад. Ин массивҳои офтобӣ инчунин қарорҳои паймон ва сабукро пешниҳод мекунанд, ки барои системаҳое, ки фазо ва вазн дар ҷои аввал мебошанд, зичии аълои нерӯи барқро пешниҳод мекунанд.

Мубодила:

Ҳоло бо мо тамос гиред > Зеркашӣ кунед

ТАВСИФИ

Намунаҳои маҳсулот

Плитаи моҳвораӣ дар бадан

 30% самаранокии ҳуҷайраҳои сегонаи GaAs;

 Шӯрои PCB, филми PI ва ғайра;

 -100 ℃ ~ + 110 ℃ ҳарорати корӣ;

 Муҳлати арзёбӣ 3 сол ё камтар аз он.

Панели офтобии собит

 30% самаранокии ҳуҷайраҳои сегонаи GaAs;

 Алюминийи нахи карбон субстрати асали асал;

 -100 ℃ ~ + 110 ℃ ҳарорати корӣ;

 Давомнокии арзёбии 10 сол ё камтар аз он.

Панели офтобии фасеҳ

 30% самаранокии ҳуҷайраҳои сегонаи GaAs;

 Плёнкаи чандири PI - нахи шишагин - субстрати филми PI;

 -100 ℃ ~ + 110 ℃ ҳарорати корӣ;

 Давомнокии арзёбии 7 сол ё камтар аз он.

Панели офтобии чандир барои моҳвораҳои панели ҳамвор

 30% самаранокии ҳуҷайраҳои сегонаи GaAs (ҳуҷайраҳои офтобии сахт);

 Плёнкаи чандири PI - нахи шишагин - субстрати филми PI;

 -100 ℃ ~ + 110 ℃ ҳарорати корӣ;

 Давомнокии арзёбии 7 сол ё камтар аз он.

Массивҳои офтобии Gallium Arsenide системаҳои пешрафтаи фотоэлектрикӣ мебошанд, ки арсениди галийро (GaAs) ҳамчун маводи ибтидоии нимноқил барои табдил додани нури офтоб ба нерӯи барқ истифода мебаранд. GaAs бо самаранокии баланди худ дар табдили энергия, махсусан дар шароити нури офтобии кам ё пароканда маълум аст. Ин массивҳои офтобӣ барои истифода дар барномаҳои кайҳонӣ, дастгоҳҳои баландсифати заминӣ ва системаҳои энергетикии аэрокосмосӣ тарҳрезӣ шудаанд, ки дар он эътимоднокӣ, самаранокӣ ва устуворӣ муҳиманд. GaAs нисбат ба ҳуҷайраҳои офтобии анъанавии кремний аз сабаби азхудкунии беҳтари фотон ва қобилияти кор кардан дар ҳарорати баланд самаранокии баландтар дорад. Массивҳо бо технологияи бисёрҷанбаи ҳуҷайраҳои офтобӣ сохта шудаанд, ки имкон медиҳад, ки спектри васеътари нури офтоб гирифта шавад ва самаранокии умумии табдили энергияро боз ҳам беҳтар созад. Тарҳи сабуки онҳо дар якҷоягӣ бо муқовимати барҷастаи радиатсионӣ онҳоро барои тавлиди нерӯи моҳвораӣ, таҳқиқоти кайҳон ва барномаҳои баландкӯҳ беҳтарин месозад. Ин массивҳои офтобӣ инчунин дорои мӯҳлати тӯлонии корӣ мебошанд ва ба таназзули муҳити зист тобоваранд ва кафолат медиҳанд, ки онҳо метавонанд ба шароити сахт тоб оваранд ва самаранокии онро аз даст надиҳанд.