Ηλιακές Συστοιχίες Αρσενιδίου Γαλλίου

Οι ηλιακές συστοιχίες Arsenide Gallium περιλαμβάνουν την εξαιρετικά υψηλή απόδοση τους, επιτρέποντας περισσότερη παραγωγή ενέργειας σε περιορισμένο χώρο σε σύγκριση με τα παραδοσιακά ηλιακά κύτταρα. Ο σχεδιασμός πολλαπλών συνδέσμων μεγιστοποιεί την δέσμευση ενέργειας αξιοποιώντας ένα ευρύτερο φάσμα του ηλιακού φάσματος, το οποίο είναι ιδανικό για συνθήκες χαμηλού φωτισμού και ακραία περιβάλλοντα, όπως διαστημικές αποστολές ή απομακρυσμένες εγκαταστάσεις. Η στιβαρή κατασκευή και η αντοχή στην ακτινοβολία και τις διακυμάνσεις της θερμοκρασίας εξασφαλίζουν μακροχρόνια απόδοση, καθιστώντας τα ιδανικά για αεροδιαστημικές, στρατιωτικές εφαρμογές και εφαρμογές εκτός δικτύου. Αυτές οι ηλιακές συστοιχίες παρέχουν επίσης συμπαγείς και ελαφριές λύσεις, προσφέροντας εξαιρετική πυκνότητα ισχύος για συστήματα όπου ο χώρος και το βάρος είναι κορυφαίοι.

Μερίδιο:

Επικοινωνήστε μαζί μας τώρα > Λήψη

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Παραδείγματα προϊόντων

Δορυφορική πλάκα που τοποθετείται στο σώμα

 Κύτταρα GaAs τριπλής σύνδεσης απόδοσης 30%.

 πλακέτα PCB, φιλμ PI κ.λπ.

 -100℃~+110℃ θερμοκρασία εργασίας.

 Διάρκεια ζωής αξιολόγησης 3 χρόνια ή λιγότερο.

Σταθερό άκαμπτο ηλιακό πάνελ

 Κύτταρα GaAs τριπλής σύνδεσης απόδοσης 30%.

 Υπόστρωμα κηρήθρας από αλουμίνιο από ανθρακονήματα.

 -100℃~+110℃ θερμοκρασία εργασίας.

 Διάρκεια ζωής αξιολόγησης 10 χρόνια ή λιγότερο.

Πτυσσόμενο εύκαμπτο ηλιακό πάνελ

 Κύτταρα GaAs τριπλής σύνδεσης απόδοσης 30%.

 Εύκαμπτη μεμβράνη PI - υαλοβάμβακα - υπόστρωμα φιλμ PI.

 -100℃~+110℃ θερμοκρασία εργασίας.

 Διάρκεια ζωής αξιολόγησης 7 χρόνια ή λιγότερο.

Ευέλικτο πτυσσόμενο ηλιακό πάνελ για δορυφόρους επίπεδης οθόνης

 Κυψέλες GaAs τριπλής σύνδεσης απόδοσης 30% (Άκαμπτα ηλιακά κύτταρα).

 Εύκαμπτη μεμβράνη PI - υαλοβάμβακα - υπόστρωμα φιλμ PI.

 -100℃~+110℃ θερμοκρασία εργασίας.

 Διάρκεια ζωής αξιολόγησης 7 χρόνια ή λιγότερο.

Οι ηλιακές συστοιχίες αρσενιδίου του γάλλιου είναι προηγμένα φωτοβολταϊκά συστήματα που χρησιμοποιούν το αρσενίδιο του γαλλίου (GaAs) ως το κύριο υλικό ημιαγωγών για τη μετατροπή του ηλιακού φωτός σε ηλεκτρική ενέργεια. Το GaAs είναι γνωστό για την υψηλή του απόδοση στη μετατροπή ενέργειας, ιδιαίτερα σε συνθήκες με χαμηλό ή διάσπαρτο ηλιακό φως. Αυτές οι ηλιακές συστοιχίες έχουν σχεδιαστεί για χρήση σε διαστημικές εφαρμογές, επίγειες εγκαταστάσεις υψηλής απόδοσης και συστήματα αεροδιαστημικής ενέργειας, όπου η αξιοπιστία, η αποτελεσματικότητα και η ανθεκτικότητα είναι ζωτικής σημασίας. Το GaAs έχει υψηλότερη απόδοση από τα παραδοσιακά ηλιακά κύτταρα με βάση το πυρίτιο λόγω της καλύτερης απορρόφησης φωτονίων και της ικανότητάς του να λειτουργεί σε υψηλότερες θερμοκρασίες. Οι συστοιχίες είναι κατασκευασμένες με τεχνολογία ηλιακών κυψελών πολλαπλών συνδέσεων, η οποία επιτρέπει τη σύλληψη ενός ευρύτερου φάσματος ηλιακού φωτός, ενισχύοντας περαιτέρω τη συνολική απόδοση μετατροπής ενέργειας. Ο ελαφρύς σχεδιασμός τους, σε συνδυασμό με την εξαιρετική αντίσταση στην ακτινοβολία, τα καθιστά ιδανικά για δορυφορική παραγωγή ενέργειας, εξερεύνηση διαστήματος και εφαρμογές σε μεγάλο υψόμετρο. Αυτές οι ηλιακές συστοιχίες διαθέτουν επίσης μεγάλη διάρκεια ζωής και είναι ανθεκτικές στην περιβαλλοντική υποβάθμιση, διασφαλίζοντας ότι μπορούν να αντέξουν σε σκληρές συνθήκες χωρίς απώλεια απόδοσης.